一种非选择性生长锗硅外延的方法

摘要

本发明提供了一种非选择性生长锗硅外延的方法。现有技术使用高达1100摄氏度的高温氢气烘烤易影响热预算的降低，并且未在形成单晶锗硅层和多晶锗硅层前先沉积籽硅层，从而造成多晶锗硅层颗粒较大，并影响两者间的连接质量。本发明先对晶圆进行氢氟酸清洗为最后步骤的化学清洗，之后再对晶圆进行800至950摄氏度的氢气烘烤，再通过CVD工艺在单晶硅区和隔离结构区上先沉积籽硅层，之后通过CVD工艺生成单晶锗硅层和多晶锗硅层，最后通过CVD工艺生成覆盖层。本发明通过降低烘烤温度降低了热预算，另可提高单晶锗硅层和多晶锗硅层之间的连接质量，并可降低使用所述硅锗外延作为基极的HBT的基极电阻，HBT的频率性能也相应得到提高。

主权项

一种非选择性生长锗硅外延的方法，其特征在于，包括以下步骤：a、提供表面具有单晶硅区和隔离结构区的晶圆；b、提供具有反应腔的外延生长机台，该反应腔内设置有晶圆承载盘；c、将该晶圆设置在该晶圆承载盘上；d、开启外延生长机台且将反应腔的温度和压强分别调控至烘烤温度和烘烤压强；e、向反应腔通入烘烤气体以进行预设时段的烘烤；f、向反应腔中通入气态硅源，且通过化学气相沉积工艺在晶圆表面生成预设厚度的籽硅层；g、向反应腔同时通入气态硅源和气态锗源，且通过化学气相沉积工艺分别在单晶硅区和隔离结构区生成单晶锗硅层和多晶锗硅层；h、向反应腔中通入气态硅源且通过化学气相沉积工艺在晶圆表面生成覆盖层。