发明名称 |
半导体器件上导电金属层的制作 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件上导电金属层的制作。更具体地,本发明公开了一种用于制作形成在衬底上的发光器件的方法,所述发光器件包括多个外延层,所述方法包括:形成处于所述多个外延层上的远离所述衬底的第一欧姆接触层;去除所述衬底,以暴露所述多个外延层的后表面;以及清洁和刻蚀所述多个外延层的所述暴露的后表面。 |
申请公布号 |
CN101373807B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200810130747.3 |
申请日期 |
2003.09.19 |
申请人 |
霆激技术有限公司 |
发明人 |
康学军;吴大可;爱德华·罗伯特·佩里 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
肖善强 |
主权项 |
一种用于制作形成在衬底上的发光器件的方法,所述发光器件包括多个外延层,所述方法包括:形成处于所述多个外延层上的远离所述衬底的第一欧姆接触层;去除所述衬底,以暴露所述多个外延层的后表面;以及清洁和刻蚀所述多个外延层的所述暴露的后表面,其中,在清洁和刻蚀所述暴露的后表面之后,沉积第二欧姆接触层,所述第二欧姆接触层用于光发射。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |