发明名称 |
用相同技术制造薄膜晶体管和液晶显示器件的方法 |
摘要 |
本发明提供薄膜晶体管的制造方法和用相同技术制造液晶显示器件的方法。根据薄膜晶体管的制造方法,栅绝缘层在含有栅极的基板上形成,光刻胶图案在栅绝缘层上形成。然后,在基板上形成带有第一极性电荷的SAM层,并剥离光刻胶图案。因此,将纳米材料滴入基板在SAM层上形成纳米导线,所述纳米材料带有第二极性电荷和纳米导线。然后,在与纳米导线形成的区域邻近的栅绝缘层上形成源极和漏极。施加预定电压到源极和漏极上,根据源极和漏极间电场的方向在一个方向上排列纳米导线。 |
申请公布号 |
CN101197293B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200710199049.4 |
申请日期 |
2007.12.07 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
李宝铉;文泰亨 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;梁挥 |
主权项 |
一种制造薄膜晶体管的方法,所述方法包括:在含有栅极的基板上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成光刻胶图案;在含有所述光刻胶图案的基板上形成含有第一极性电荷的自组装单层;剥离所述光刻胶图案;在含有所述自组装单层的基板上滴入纳米材料,以在所述自组装单层上形成纳米导线,所述纳米材料含有第二极性电荷和所述纳米导线;在与形成纳米导线的区域邻近的栅绝缘层上形成源极和漏极;将预定电压应用到所述源极和漏极,根据所述源极和漏极之间的电场方向在一个方向排列纳米导线。 |
地址 |
韩国首尔 |