| 发明名称 | 等离子体预清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体预清洗方法，包括，对基底执行除气操作，经历所述除气操作的基底的温度为T1；对经历所述除气操作的基底执行等离子体刻蚀操作，执行所述等离子体刻蚀操作的反应腔室的温度为T2，T2小于T1；执行所述等离子体刻蚀操作的步骤包括：对经历所述除气操作的基底执行降温操作；对经历所述降温操作的基底执行等离子体刻蚀操作。可减少栅氧化层损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101724843A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810224584.5 | 申请日期 | 2008.10.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | C23F4/00(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I | 主分类号 | C23F4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种等离子体预清洗方法，包括，对基底执行除气操作，经历所述除气操作的基底的温度为T1；对经历所述除气操作的基底执行等离子体刻蚀操作，执行所述等离子体刻蚀操作的反应腔室的温度为T2，T2小于T1；其特征在于，执行所述等离子体刻蚀操作的步骤包括：对经历所述除气操作的基底执行降温操作；对经历所述降温操作的基底执行等离子体刻蚀操作。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||