| 发明名称 | 用于衬底处理的边缘环装置 | ||
| 摘要 | 提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕。该第一边缘环被从该卡盘电性绝缘。该方法包括提供第二边缘环。该第二边缘环被置于该衬底的边缘下方。该方法进一步包括提供耦合环。该耦合环被配置为协助从ESC(静电卡盘)组件到该第一边缘环的射频耦合，由此使得在衬底处理过程中该第一边缘环具有边缘环电势，并使得在该衬底处理过程中该射频耦合在该第一边缘环被最大化并在该第二边缘环被最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN101730931A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200880022423.6 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 拉金德尔·德辛德萨;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人 | 樊英如 |
| 主权项 | 一种在等离子体处理室中处理衬底的方法，所述衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕，所述第一边缘环被从所述卡盘电性绝缘，包含：提供第二边缘环，所述第二边缘环被置于所述衬底的边缘下方；以及提供耦合环，其中所述耦合环被配置为协助从ESC(静电卡盘)组件到所述第一边缘环的射频耦合，由此使得在衬底处理过程中所述第一边缘环具有边缘环电势，并使得在所述衬底处理过程中所述射频耦合在所述第一边缘环被最大化并在所述第二边缘环被最小化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||