发明名称 一种多层闪存装置、固态硬盘和分割非易失性存储器系统
摘要 本发明适用于存储领域,提供了一种多层闪存装置、固态硬盘和分割非易失性存储器系统,所述多闪存装置包括由非易失性存储器控制器经物理块地址读取的未加工NAND型闪存芯片,所述非易失性存储器控制器在闪存模块上或在固态硬盘的系统板上,所述非易失性存储器控制器将逻辑块地址转换为物理块地址,通过智能存储事务管理器在高层控制多个闪存模块的多个通道之间的数据分割和交错,同时通过非易失性存储器控制器控制通道中的进一步交错和重新映射,从而延长了闪存装置的寿命。
申请公布号 CN101727976A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910163527.5 申请日期 2009.08.19
申请人 晶天电子(深圳)有限公司 发明人 李中和;俞一康;马志刚
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 贾振勇
主权项 一种多层闪存装置,其特征在于,所述装置包括:智能存储开关,所述智能存储开关包括:连接主机的上游接口,接收主机命令以存取非易失性存储器和接收主机数据及主机地址;虚拟存储处理器,与所述上游接口连接,将主机发送的地址映射到指定闪存模块以产生逻辑块地址;智能存储事务管理器,与所述虚拟存储处理器连接,管理来自所述主机的事务;虚拟存储桥,设置于所述智能存储事务管理器和逻辑块地址总线之间;非易失性存储器控制器,耦合到所述逻辑块地址总线,以接收所述虚拟存储处理器产生的逻辑块地址,以及来自所述虚拟存储桥的主机数据,并将所述逻辑块地址映射成物理块地址;多个闪存模块,包括耦合到所述非易失性存储器控制器的未加工NAND型闪存芯片,用于将主机数据存储于所述非易失性存储器控制器产生的物理块地址所标识的内存块位置中。
地址 广东省深圳市宝安区福永镇塘尾村凤塘大道正风工业园A3栋