发明名称 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法
摘要 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为:采用常规技术在石英衬底上沉积膜层,在膜层上涂布光刻胶,进行光刻、显影、坚模;利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点,使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层,形成一定宽度的空气间隙;湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层,去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝;再利用膜层为掩蔽,通过狭缝,使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀,得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝,通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米,深度范围为350纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
申请公布号 CN101723307A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910243541.6 申请日期 2009.12.25
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 刘玲;王长涛;罗先刚;冯沁;刘尧;刘凯鹏;邢卉;潘丽
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 成金玉;卢纪
主权项 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法,其特征在于步骤如下:(1)采用磁控溅射技术或蒸镀技术在石英衬底上沉积膜层,在所述膜层上涂布光刻胶,石英衬底的厚度为200~2000μm,膜层的厚度为20~300nm,光刻胶的厚度为100~2000nm;(2)采用光刻技术在光刻胶上制备线宽为1微米以上的线条结构;(3)利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点,使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶线条边缘下方的部分膜层,形成宽度范围在100~1000nm的空气间隙;(4)在所述步骤(3)后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层,去除光刻胶后得到对应于空气间隙宽度的膜层狭缝;(5)以所述步骤(1)和所述步骤(4)沉积的膜层为掩蔽,通过膜层狭缝,以衬底腐蚀溶液对衬底进行各向同性腐蚀,得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米,深度范围为350纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
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