碳化硅基片的抛光液

摘要

本发明涉及光电子领域使用的碳化硅基片加工中抛光液的配方。碳化硅基片抛光液由：颗粒直径为20纳米～50纳米溶胶型二氧化硅(SiO2)，去离子水，氢氧化钠(NaOH)，聚氧乙烯酰胺组成。它们的质量比是：二氧化硅∶去离子水∶氢氧化钠∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。使用本抛光液进行抛光，不仅能够有效消除碳化硅基片磨削过程中产生的加工损伤层，保证基片抛光面的粗糙度(RMS)＜0.3纳米，同时能够缩短碳化硅基片的抛光时间，降低生产成本。

主权项

碳化硅基片的抛光液组成是：颗粒直径为20纳米～50纳米溶胶型二氧化硅(SiO2)，去离子水，氢氧化钠(NaOH)，聚氧乙烯酰胺。它们的质量比是：二氧化硅∶去离子水∶氢氧化钠∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。