| 发明名称 | 用于PDP的低激发电压保护膜材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于PDP的前板保护膜组分及其制造方法。该保护膜是通过使用MgO-ZnO固溶体氧化物[(Mg1-xZnx)O]作为保护膜淀积源制造而成的，而不使用传统AC PDP中作为保护膜使用的纯MgO材料或掺杂的MgO材料。MgO-ZnO固溶体氧化物[(Mg1-xZnx)O]单晶粉末材料作为保护膜使用。MgO-ZnO固溶体保护膜可以降低AC PDP的放电电压，并可以显著提高放电效率，同时降低装置的功率消耗和电子部件的数目和容量，从而降低了PDP单位成本，因而改善了PDP性能和模块成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101728157A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910178997.9 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 株式会社希岩肯 | 发明人 | 金廷硕;郑锡;金容奭;尹相薰;安哲根 |
| 分类号 | H01J17/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J17/49(2006.01)I | 主分类号 | H01J17/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 陈文平 |
| 主权项 | 一种用于AC PDP(等离子体显示板)的保护膜，其特征在于所述保护膜由其中ZnO氧化物的摩尔分数范围为0.0至0.4的(Mg1-xZnx)O单相氧化物构成。 | ||
| 地址 | 韩国蔚山市 | ||