| 发明名称 | 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及蚀刻方法以及半导体器件的制造方法，该蚀刻方法不仅能增大多晶硅膜对于氧化硅膜的选择比，而且能抑制硅基材中的凹处的产生。将晶片(W)搬入具备径向线缝隙天线(19)的基板处理装置(10)的处理容器(11)内，在晶片(W)中，将通过开口部(40)而被露出的多晶硅膜(37)的部分蚀刻至在栅极氧化膜(36)上仅残留一点的程度，将处理空间(S1、S2)的压力设定为66.7Pa，向处理空间(S2)供给HBr气体以及He气体，向径向线缝隙天线(19)供给2.45GHz的微波，利用从HBr气体产生的等离子体蚀刻多晶硅膜(37)并完全除去，蚀刻露出的栅极氧化膜(36)，并蚀刻抗蚀剂膜(39)以及防反射膜(38)。 | ||
| 申请公布号 | CN101154582B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710146641.8 | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 饭嶋悦夫;堀口克己 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，是在硅基材上至少依次形成有氧化硅膜、多晶硅膜及具有开口部的掩膜的基板的蚀刻方法，其特征在于，包括：第一蚀刻步骤，以残留该多晶硅膜的一部分的方式使用从包含氧气的处理气体产生的等离子体对与所述开口部对应的所述多晶硅膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，使用从不包含氧气的处理气体所产生的等离子体来蚀刻所述被残留的多晶硅膜，其中，在所述第二蚀刻步骤中，在压力为33.3Pa～93.3Pa的气氛下蚀刻所述被残留的多晶硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||