| 发明名称 | 一种锗量子点的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。 | ||
| 申请公布号 | CN101388324B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810071934.9 | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 张永;李成;廖凌宏;陈松岩;赖虹凯;康俊勇 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 一种锗量子点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于O，小于等于0.5；2)将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少二种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物，所述3种清洗液分别为I号清洗液、II号清洗液和III号清洗液；3)将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热至850℃脱氧，得Ge量子点。 | ||
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||