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发明名称
Immersion photolithography with megasonic rinse
摘要
A method comprises forming a photoresist on a substrate, rinsing the photoresist using a rinse liquid agitated with at least one megasonic source, exposing the photoresist to radiation while immersed in a liquid, and developing the photoresist.
申请公布号
US7732123(B2)
申请公布日期
2010.06.08
申请号
US20040995653
申请日期
2004.11.23
申请人
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
发明人
CHANG CHING-YU
分类号
G03F7/26
主分类号
G03F7/26
代理机构
代理人
主权项
地址
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