单片集成压力传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏电阻下面的深槽，使压敏电阻成功地制作在可动的硅薄膜上，解决了压力传感器与电路加工工艺兼容的技术难题，实现了压力传感器与电路的单片集成。本发明方法适用于小型化、高可靠的压力传感器加工领域。

主权项

一种单片集成压力传感器的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)在P型硅衬底片上，制作双极模拟集成电路和压敏电阻用的P型硅衬底；(2)在所述双极模拟集成电路和压敏电阻用的P型硅衬底上进行N-外延工艺，在所述N-外延层上制作双极集成电路与传感器的压敏电阻；(3)采用专用的腐蚀夹具，对所述已经做出了双极集成电路与传感器的压敏电阻的硅片的背面进行腐蚀、再进行硅玻璃键合，实现单片集成的压力传感器。