| 发明名称 | 显示装置的元件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于，含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子％、硼的组成比例定义为y原子％、铝的组成比例定义为z原子％、x+y+z＝100时，满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式，其余部分含有氮。 | ||
| 申请公布号 | CN101375378B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200780003110.1 | 申请日期 | 2007.10.22 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 占部宏成;松浦宜范;久保田高史 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 显示装置的元件结构，该结构具备由铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料形成的配线电路层和半导体层，其特征在于，所述Al系合金配线材料含有氮(N)，所述配线电路层具有与半导体层直接接合的部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||