| 发明名称 | 含有碳或氮掺杂的二极管的非易失性存储器件及其制造和操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件，其包括至少一个非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括掺杂有碳或氮至少一种的硅、锗或硅锗二极管(2)，其中掺杂的浓度大于不可避免的杂质级浓度。碳和/或氮例如被引入到p-i-n二极管(4，6，8)的本征区(6)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101720507A | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200880021404.1 | 申请日期 | 2008.06.23 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | S·B·赫纳;M·H·克拉克;T·库玛 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;G11C11/36(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/167(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，其包括至少一个非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括掺杂有碳或氮中至少一种的硅、锗或硅锗二极管，其中掺杂的浓度大于不可避免的杂质级浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||