用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法

摘要

本发明一种用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用AIN材料热导率高，热膨胀系数小，电阻率高，透过率高等的特点，用AlN膜形成一种简单有效的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口，并用AlN膜代替SiO2作为绝缘膜和腔面抗反射膜，该方法工艺简单，成本低，能提高激光器的COD阈值，延长器件寿命。该技术方案适用于任意条宽的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的制造。

主权项

一种用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)利用高温氮化铝膜对有源区的压应力，在镓砷/铝镓砷激光器前后腔面两端30-50微米处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区；(2)窗口区中腔面附近为预留区，腔面附近为距离腔面10-15微米的区域；(3)对窗口区中的条形以内的区域进行间隔式深腐蚀，间隔距离为8-10微米，对窗口区中条形以外的区域进行全部深腐蚀，腐蚀深度为0.8-1.2微米，然后在200-300℃温度下生长氮化铝的厚度为0.4-0.8微米；(4)对注入区中的条形以外的区域进行微腐蚀，除去欧姆接触层，然后在常温下，生长0.1-0.2微米的氮化铝作为绝缘层，代替传统的二氧化硅层；(5)前腔面镀四分之一镓砷/铝镓砷激光器发射波长光学厚度的AlN作为抗反射膜。