发明名称 一种多晶硅太阳能电池制作方法
摘要 本发明公开了一种多晶硅太阳能电池制作方法,其工艺步骤包括:(1)有选用以空穴为导电载体的P型多晶硅片为基片;(2)采用球磨或者气流粉碎的破碎工艺,制备N型多晶硅微米粉末;(3)将N型多晶硅微米粉末与含有ZnO或TiO 2的纳米晶胶体溶液进行混合,得到复合硅浆料,该复合硅浆料中硅的质量百分比为50%-90%;(4)在P型多晶硅衬底上使用步骤(3)所得到复合硅浆料,沉积一层掺杂ZnO或TiO 2的N型硅复合薄膜;(5)制作银栅电极和铝背电极。本发明提供的多晶硅太阳能电池制作方法选择廉价P型硅片作为衬底,同时避免了制绒、扩散掺杂等工艺,成本低廉,工艺简单,且光电转换效率高,具有非常广泛的产业化价值。
申请公布号 CN101504960B 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200910096756.X 申请日期 2009.03.16
申请人 温州竞日光伏科技有限公司 发明人 万青;郑策;方旭昶
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 温州瓯越专利代理有限公司 33211 代理人 王阿宝
主权项 一种多晶硅太阳能电池制作方法,其特征在于包括以下步骤:(1)、选用纯度不小于99.999%的P型多晶硅片为基片,其电阻率不小于0.5Ω·cm,厚度范围为100-300微米;(2)、选用纯度为99.9999%的N型多晶硅为原料,采用球磨或者气流粉碎的破碎工艺,制备纯度为99.9999%且平均颗粒度在2-20微米范围的N型多晶硅微米粉末;(3)、将所述N型多晶硅微米粉末与含有ZnO或TiO2的纳米晶胶体溶液进行混合,得到复合硅浆料,该复合硅浆料中硅的质量百分比为50%-90%;(4)、采用喷涂或印刷成膜工艺结合退火处理在P型多晶硅基片上使用步骤(3)所得到的复合硅浆料,沉积一层掺杂ZnO或TiO2的N型硅复合薄膜;(5)、采用磁控溅射工艺或丝网印刷工艺制作银栅电极和铝背电极。
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