| 发明名称 | 一种超低寄生ESD保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超低寄生ESD保护器件，其包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发明具有寄生电容超低，寄生电阻超低的特点，并可保证优越的泄放能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101719489A | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200910241516.4 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王源;俞波;贾嵩;黄鹏;张钢刚;张兴 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 徐宁;关畅 |
| 主权项 | 一种超低寄生ESD保护器件，其特征在于包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||