| 发明名称 | 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：取一金属衬底；步骤2：对金属衬底进行抛光，以获得较光滑的表面；步骤3：将抛光后的金属衬底表面清洗干净；步骤4：将清洗干净的金属衬底放入生长设备中，在金属衬底上生长缓冲层；步骤5：在缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在金属衬底上ZnO薄膜的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101388345B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710121658.8 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/36(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：取一金属衬底；步骤2：对金属衬底进行抛光；步骤3：将抛光后的金属衬底表面清洗干净；步骤4：将清洗干净的金属衬底放入生长设备中，在金属衬底上生长缓冲层；步骤5：在缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在金属衬底上ZnO薄膜的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||