| 发明名称 | 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形；最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280至320度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。利用本发明，解决了DCFL IC的逻辑摆幅Vm小(受势垒高度的固有限制)的问题，达到了精确控制E-HEMT域值电压Vth的目的，成功制作了稳定一致的增强型器件，保证了增强型器件域值电压在零以上，确保了E/D型器件及其逻辑电路正常工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101471260B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710303895.6 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黎明;徐静波;付晓君 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法，其特征在于，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形；在蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构时，栅极金属蒸发时采用钛/铂/金的三层结构，蒸发顺序依次为钛/铂/金；最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||