| 发明名称 | 具有减少的反向电流的结型二极管 | ||
| 摘要 | 公开了对硅-锗合金形成的二极管进行退火的方法，该方法使泄漏电流最小化。所述方法包括下述步骤：形成硅-锗合金的半导体柱；在第一温度加热所述柱至少30分钟，然后在高于所述合金的第一温度的第二温度下加热所述柱长达120秒钟。本发明进一步包括多个p-i-n二极管的单片三维存储器阵列，所述p-i-n二极管由硅-锗合金形成，并且已经经受两阶段加热工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101720510A | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200880020493.8 | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | S·B·赫纳 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种形成结型二极管的方法，所述方法包括：a)形成半导体柱，所述柱包含硅和锗的非晶合金；b)在第一温度下加热所述柱至少30分钟；和c)在第二温度下加热所述柱大约120秒或更少，其中所述第二温度高于所述第一温度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||