发明名称 一种利用硫辅助反应低温制备氮化硅纳米棒的方法
摘要 本发明公开了一种利用硫辅助反应低温制备氮化硅纳米棒的方法。是将硅粉、升华硫和叠氮化钠按摩尔比1∶2-3∶4-6混合,密封在高压釜中,于250℃~300℃,23MPa~40MPa条件下反应2小时~20小时;产物经酸洗3~5遍,然后水洗至pH中性,常规离心分离、干燥,即获得以α-Si3N4纳米棒为主的氮化硅一维纳米材料。本发明方法制得的Si3N4纳米棒直径为70纳米-400纳米,纳米棒的长度为300纳米-4微米。本发明方法以廉价的硅粉为原料,反应温度较低,所得产物形貌好,适合于工业化大规模生产。
申请公布号 CN101164869B 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200710113022.9 申请日期 2007.10.09
申请人 山东大学 发明人 钱逸泰;杨立山;郭春丽;马小健;徐立强
分类号 C01B21/068(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C01B21/068(2006.01)I
代理机构 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 代理人 李健康
主权项 一种利用硫辅助反应低温制备氮化硅纳米棒的方法,其特征在于,将硅粉、升华硫和叠氮化钠按摩尔比1∶2-3∶4-6混合,密封在高压釜中,于250℃~300℃、23MPa~40MPa条件下反应2小时~20小时;产物经酸洗3~5遍,然后水洗至pH中性,常规离心分离、干燥,即获得以α-Si3N4纳米棒为主的氮化硅一维纳米材料。
地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号