基于高压DMOS实现的电平转换电路

摘要

基于高压DMOS实现的电平转换电路，通过低压模块将低压信号转换为高压信号，所述低压模块包括高压DMOS栅源控制电路以及高压DMOS，所述高压DMOS栅源控制电路接收低压信号，高压DMOS栅源控制电路的第一控制端和第二控制端在高压DMOS的栅极与源极之间提供恒定电压，当恒定电压大于高压DMOS阈值电压时，高压DMOS导通。本发明通过直接控制高压DMOS的源漏间电压实现电平转换电路，可以在全温度范围内有效保证高压DMOS的适时关断和导通，而无须关心BCD工艺中高压DMOS的导通电阻的离散性，保证电平转换电路的高压模块能获得低压模块的信号，有效地提高高压集成电路的合格率，实现方法简单。

主权项

基于高压DMOS实现的电平转换电路，其特征在于通过低压模块将低压信号转换为高压信号，所述低压模块的电源正端为第一电平VCC、电源负端为接地的第二电平，所述第一电平大于第二电平，第一电平和第二电平构成低压电源；所述低压信号的高电平为所述第一电平、低压信号的低电平为所述第二电平；所述高压信号的高电平为第三电平VB、高压信号的低电平为第四电平VS，所述第三电平大于第四电平，第三电平和第四电平构成高压电源；其中，所述基于高压DMOS实现的电平转换电路，其特征所述低压模块包括高压DMOS栅源控制电路以及高压DMOS，所述高压DMOS栅源控制电路接收所述低压信号，高压DMOS栅源控制电路的第一控制端和第二控制端分别连接所述高压DMOS的栅极和源极，在高压DMOS的栅极与源极之间提供恒定电压，若所述恒定电压大于高压DMOS的阈值电压，由于所述第三电平VB向高压DMOS的漏极供电，高压DMOS导通。