| 发明名称 | 栅下具有横向扩散埋层的LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅下具有横向扩散埋层的LDMOS器件，包括半导体本体以及半导体本体上的栅，所述半导体本体于栅的下方设有第一导电型掺杂沟道区，所述第一导电型掺杂沟道区的下方设有第一导电型横向扩散埋层。本发明在有效抑制LDMOS器件中短沟道效应的前提下可以适当降低第一导电型掺杂沟道区注入掺杂离子的剂量，从而降低了器件的各个非线性电容，使得射频功率LDMOS器件的性能得到了进一步改善。 | ||
| 申请公布号 | CN101719515A | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200910211755.5 | 申请日期 | 2009.11.03 |
| 申请人 | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 | 发明人 | 陈强;马强 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 范晴 |
| 主权项 | 一种栅下具有横向扩散埋层的LDMOS器件，包括半导体本体(1)以及半导体本体(1)上的栅(2)，所述半导体本体(1)于栅(2)的下方设有第一导电型掺杂沟道区(3)，其特征在于：所述第一导电型掺杂沟道区(3)的下方设有第一导电型横向扩散埋层(4)。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区林泉街399号东大苏州研究院1号楼408室 | ||