Oberflächenemittierende Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Zur Erhöhung der Polarisationsstabilität einer oberflächenemittierenden Halbleiterlaserdiode (100) wird eine periodische Struktur (80) aus halbleitendem Material (70) einerseits und dielektrischem Material (90a) andererseits innerhalb des Resonators angeordnet, um eine Doppelbrechung zu erzeugen. Der Resonator weist zumindest eine erste Bragg-Reflektorschichtenfolge (20), eine einen pn-Übergang aufweisende aktive Zone (40) und eine zweite Bragg-Reflektorschichtenfolge (90) auf.