发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes und Halbleiterbauelement
摘要 Über einem Anschlusspad (7) wird eine Öffnung (9) im Substrat (1) hergestellt. Eine Dielektrikumschicht (10), eine Metallisierung (11), eine Kompensationsschicht (13) und eine Passivierungsschicht (15) werden so aufgebracht, dass die Passivierungsschicht zumindest innerhalb der Öffnung von der Metallisierung durch die Kompensationsschicht getrennt ist. Für die Kompensationsschicht wird ein Material gewählt, das geeignet ist, eine mechanische Spannung zwischen der Metallisierung und der Passivierungsschicht zu reduzieren.
申请公布号 DE102008058001(A1) 申请公布日期 2010.05.27
申请号 DE20081058001 申请日期 2008.11.19
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 SCHRANK, FRANZ;KRAFT, JOCHEN
分类号 H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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