发明名称 离子源组件
摘要 本发明涉及一种离子源组件,该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极,冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其中,冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米,冷阴极包括基底及场发射薄膜,场发射薄膜设置于基底上且面向栅极,所述场发射薄膜含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子,因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。
申请公布号 CN101303955B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN200710074322.0 申请日期 2007.05.09
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 肖林;杨远超;潜力;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善
分类号 H01J27/02(2006.01)I 主分类号 H01J27/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种离子源组件,包括冷阴极、栅极和离子加速极,冷阴极、栅极和离子加速极相互绝缘地间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其特征在于:冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米,冷阴极包括基底及场发射薄膜,场发射薄膜设置于基底上且面向栅极,所述场发射薄膜含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号