发明名称 |
离子源组件 |
摘要 |
本发明涉及一种离子源组件,该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极,冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其中,冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米,冷阴极包括基底及场发射薄膜,场发射薄膜设置于基底上且面向栅极,所述场发射薄膜含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子,因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。 |
申请公布号 |
CN101303955B |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200710074322.0 |
申请日期 |
2007.05.09 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
肖林;杨远超;潜力;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善 |
分类号 |
H01J27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J27/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种离子源组件,包括冷阴极、栅极和离子加速极,冷阴极、栅极和离子加速极相互绝缘地间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其特征在于:冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米,冷阴极包括基底及场发射薄膜,场发射薄膜设置于基底上且面向栅极,所述场发射薄膜含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号 |