发明名称 |
半导体激光装置 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置中的谐振器(100)包括半导体基板(11)、形成半导体基板(11)上或上方的n型覆层(12)和p型覆层(14)、以及夹在n型覆层(12)和p型覆层(14)间的有源层(13)。在谐振器(100)的上表面形成的、在谐振器(100)轴向上延伸的脊(14A)。脊(14A)包括发射侧端部(1)、非发射侧端部(5)、使得脊(14A)的宽度以锥状方式从发射侧端部(1)朝着非发射侧端部(5)减少的锥形部分(2)、以及设置在非发射侧端部(5)的发射侧端部(1)侧的台阶部分(4),并且使脊的宽度以台阶状方式改变。 |
申请公布号 |
CN101714746A |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200910178907.6 |
申请日期 |
2009.09.28 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
菅原章义 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种半导体激光装置,包括具有发射侧端部、非发射侧端部和上表面的谐振器,所述谐振器包括:半导体基板;n型覆层和p型覆层,形成在所述半导体基板上或上方;有源层,夹设在所述n型覆层和所述p型覆层之间;以及凸起部分,在所述谐振器轴向上延伸,形成在所述谐振器的所述上表面上,并且所述凸起部分包括:第一端部,设置在所述发射侧端部;第二端部,设置在所述非发射侧端部,并且具有与所述第一端部的宽度相同的宽度;锥形部分,使得所述凸起部分以锥状方式从所述第一端部向所述第二端部减少,以及台阶部分,设置在所述第二端部对所述第一端部的一侧,并且使得所述凸起部分的宽度以台阶状方式改变。 |
地址 |
日本大阪府 |