发明名称 |
等离子处理装置 |
摘要 |
本发明涉及等离子处理装置,更具体来说,涉及可提高等离子密度的均匀性,并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。另外,涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。本发明的等离子源,其特征在于,具有多个单位电极单元和一对电极板,所述一对电极板使所述单位电极单元根据被处理物的宽度组装,从而被配置在所述被处理物上。另外,其特征在于,所述单位电极单元包含:单位电极板、形成在所述单位电极板上的电极、和形成在所述单位电极板的一个侧面的间隙槽。 |
申请公布号 |
CN1777346B |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200510125306.0 |
申请日期 |
2005.11.15 |
申请人 |
K.C.科技股份有限公司 |
发明人 |
申寅澈;张圣基;金兑昱;柳炅昊;郑修然 |
分类号 |
H05H1/24(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
一种等离子处理装置,其特征在于,包括:通过气体供给端口流入工序气体的内部空间;沿外周面的长度方向隔着间隔设置多个气体喷射孔,并将流入所述内部空间的工序气体均匀分散在等离子产生空间的气体分配器,所述气体分配器呈中空管状;和通过使流入所述等离子产生空间的工序气体进行等离子放电而对基板进行等离子处理的上部电极和下部电极。 |
地址 |
韩国京畿道 |