| 发明名称 | 存储器件和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1779848B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200510107038.X | 申请日期 | 2005.09.27 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 森宽伸;八野英生;中岛智惠子;相良敦;岡崎信道;长尾一 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01)I;G11C11/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；连接到与位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压和设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||