| 发明名称 | 光掩膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造光掩膜的方法。在衬底上沉积掩膜层(如铬)。在该铬层上进行等离子处理。在处理的铬层上形成光致抗蚀剂层。在实施例中，等离子处理粗糙化了铬层。在实施例中，等离子处理在铬层上形成阻挡膜。使用该光致抗蚀剂层图形化亚分辨率辅助图形。 | ||
| 申请公布号 | CN101713914A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910177332.6 | 申请日期 | 2009.09.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑东旭;黄健朝;林政旻 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种制造光掩膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上进行等离子处理；和在该处理的掩膜层上形成光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||