发明名称 半导体封装及制造方法
摘要 公开了一种半导体封装及其制造方法,其中通过利用包括较少量铅的外部连接端子或半导体元件安装端子,解决了环境问题,而同时实现了所述端子的细间距。所述半导体封装包括:板(20),包括多个绝缘树脂层;半导体元件安装端子(18),在所述板的顶部表面上形成;以及外部连接端子(12),在所述板的底部表面上形成。各外部连接端子(12)形成为从所述封装的所述底部表面向下突出的凸起,并且用绝缘树脂(14)填充各凸起,而用金属(16)覆盖各凸起的表面。包括导体过孔(26a)的布线(24)、(26)电连接金属层(16)的金属和半导体元件安装端子(18)。
申请公布号 CN1832152B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN200510134569.8 申请日期 2005.12.16
申请人 新光电气工业株式会社 发明人 中村顺一
分类号 H01L23/28(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;李峥
主权项 一种半导体封装,包括:衬底,具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,所述衬底具有至少一个绝缘树脂层和一个布线层的叠层;至少一个第一端子,在所述衬底的所述第一表面上形成,用于安装半导体元件;至少一个第二端子,在所述衬底的所述第二表面上形成,用于外部连接;以及布线,包括至少一个导体过孔,所述导体过孔包括布线层过孔,用于电连接所述第一和第二端子,其中所述第一端子形成为包括由位于限定所述衬底的所述第一表面的顶层的所述绝缘树脂层的一部分向上突出而形成的凸起和覆盖所述凸起的表面的金属层,和/或所述第二端子形成为包括由位于限定所述衬底的所述第二表面的底层的所述绝缘树脂层的一部分向下突出而形成的凸起和覆盖所述凸起的表面的金属层。
地址 日本长野县