| 发明名称 | 厚铝成膜工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种厚铝成膜工艺方法，在厚铝成膜过程中，包括以下步骤：在硅片上淀积一部分厚度的铝膜；将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却；将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜；多次重复上述淀积、冷却过程，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。采用该方法能降低厚铝成膜须状缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101452846B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200710094354.7 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 季芝慧;刘艳平 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种厚铝成膜工艺方法，其特征在于，在厚铝成膜过程中，包括以下步骤：(1)在硅片上淀积一部分厚度的铝膜；(2)将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却；(3)将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜；(4)多次重复上述淀积、冷却过程，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||