| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 半导体集成电路本发明的课题是：在FLASH I/F电路中，减轻CPU I/F的负担，以及防止存储器单元的数据变形、短时间内的恶化、损坏。在具备用来控制闪存的FLASH I/F电路(60)的半导体集成电路中，具备：在闪存的连续写入工作时当到达闪存的最终地址的情况下停止地址的增加的单元(12)；以及对最终地址的数据写入结束后、利用硬件重置FLASH模式状态信号(FMOD)的单元(14)，由此，不再需要经由CPU I/F(61)的命令的输入。 | ||
| 申请公布号 | CN1770327B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200510106487.2 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 杉尾贤一郎 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路，具备用来控制闪存的FLASH I/F电路，其特征在于，具备：在闪存的连续写入工作时当到达闪存的最终地址的情况下停止地址的增加的单元；以及在对上述最终地址的数据写入结束后，重置FLASH模式状态信号FMOD的单元。 | ||
| 地址 | 日本东京港区 | ||