氮化物类半导体激光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。

主权项

一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有规定的形状的电极层，该电极层包括：形成于所述氮化物类半导体层的与所述活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于所述第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于所述第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层，所述第三金属层的厚度为所述第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。