发明名称 |
声界面波装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种频率偏差较小的声界面波装置的制造方法。该声界面波装置,按顺序叠层第1~第3媒质(1~3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中,准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2),并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体,在该叠层体阶段,通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速,实施该调整后,形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。 |
申请公布号 |
CN101714858A |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200910222851.X |
申请日期 |
2005.03.24 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
门田道雄;神藤始 |
分类号 |
H03H9/64(2006.01)I;H03H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/64(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
一种声界面波装置的制造方法,该声界面波装置按顺序叠层有第1~第4媒质、且第1媒质与第2媒质间的界面上设有电极,该声界面波装置的制造方法,包括:准备按顺序叠层有第1~第3媒质、并在第1媒质与第2媒质的界面上设有电极的叠层体的工序;在上述叠层体阶段,调整第3媒质的膜厚,来调整频率、或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速的调整工序;以及,上述调整工序后,形成声速及/或材料与第3媒质不同的第4媒质的工序。 |
地址 |
日本京都府 |