发明名称 多列引线框架
摘要 本发明提供一种用于一半导体元件之引线框架(10),其包括一包围一晶粒收纳区域(14)之第一列端子(12)及一与该第一列端子(12)隔开且包围该第一列端子(12)之第二列端子(16)。该第一列端子(12)及该第二列端子(16)具有一第一高度(H1)。该第一列端子(12)包括一具有一较大高度(H2)之台阶(26)。将晶粒衬垫(34)连接至该第一列端子(12)之焊线(36)越过该端子(12)之该第二高度H2部分而延伸且附着至该端子(12)之该第一高度H1部分。该台阶(26)确保附着至该台阶化端子(12)之该等焊线(36)具有一高的导线扭折轮廓以使得其在后续制程步骤中较不易受到损坏。
申请公布号 TWI325169 申请公布日期 2010.05.21
申请号 TW096106792 申请日期 2007.02.27
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 王飞莹;何伟强;王浩宏
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种用于一半导体元件之多列引线框架,其包含:一晶粒收纳区域,其用于收纳一半导体积体电路(IC)晶粒;一第一列端子,其与该晶粒收纳区域隔开且包围该晶粒收纳区域;及一第二列端子,其与该第一列端子隔开且包围该第一列端子,其中该第一列端子及该第二列端子具有一第一高度,且其中该第一列之该等端子包括一台阶以使得该第一列之该等端子亦具有一第二高度。
地址 美国