形成堆叠电容器动态随机存取存储器单元的方法

摘要

本发明包含一种半导体构造，其包含若干排接触插塞和若干排平行底板。插塞间距大约是板间距的两倍。本发明包含一种形成半导体构造的方法。在衬底上形成多个导电层，所述多个层相对于第一、第二和第三排接触插塞大体上垂直。蚀刻开口，其穿过所述多个导电层内的所述导电层的每一者。所述开口横向设置在所述第一与第二排接触插塞之间。蚀刻所述开口之后，在所述多个导电层上沉积介电材料，且在所述介电材料上沉积第二导电材料。本发明包含一种电子系统，其包含处理器和与所述处理器可操作地相关联的存储器。存储器装置具有包含双间距电容器的存储器阵列。

主权项

一种存储器构造，其包括：第一接触插塞；第二接触插塞，其在第一方向上具有插塞宽度并在所述第一方向上与所述第一接触插塞间隔第一距离，所述第一距离与所述插塞宽度的总和界定插塞间距；第一底板，其与所述第一接触插塞电接触，所述第一底板在所述第一方向上具有板宽度，所述第一底板的顶面和底面具有大致相等且在所述第一方向与所述板宽度相等的宽度；以及第二底板，其在所述第一方向上与所述第一底板间隔第二距离，所述第二距离与所述板宽度的总和界定板间距，所述插塞间距约为所述板间距的两倍；使用所述第一接触插塞与所述第二接触插塞作为存储器阵列图案，使用所述第一底板与所述第二底板作为电容器的电极板。