| 发明名称 | 一种输入/输出器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种输入/输出器件的制造方法，涉及半导体器件的制造工艺。采用现有工艺制造的I/O器件，在高电压的情况下易受热载流子效应的影响。本发明的制造方法包括下列步骤：a.N输入/输出区离子注入；b.偏置侧壁沉积；c.加热；d.偏置侧壁刻蚀；e.N核心区离子注入；f.P核心区离子注入；g.P输入/输出区离子注入；h.侧壁沉积和刻蚀。本发明通过将N I/O离子注入步骤提到偏置侧壁沉积步骤之前，并在偏置侧壁沉积和刻蚀步骤之间增加一加热步骤，可有效利用瞬间增强扩散效应，形成缓变结，从而改善热载流子效应。采用本发明的方法制造的I/O器件，可有效防止热载流子效应对器件的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101335199B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200710043322.4 | 申请日期 | 2007.06.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 丁宇;居建华 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种输入/输出器件的制造方法，其特征在于，依序包括下列步骤：a.N输入/输出区离子注入；b.偏置侧壁沉积；c.加热；d.偏置侧壁刻蚀；e.N核心区离子注入；f.P核心区离子注入；g.P输入/输出区离子注入；h.侧壁沉积和刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||