发明名称 磁致伸缩导波单方向检测方法
摘要 磁致伸缩导波单方向检测方法,属于无损检测领域。该方法将两激励信号分别输入两激励传感器,在待测构件中激励出单向传播的导波,两接收传感器分别接收导波信号,选择将其中一个接收传感器接收的导波信号延时处理后与另一个接收传感器接收的导波信号相减,最终得到与导波同向的检测信号。本发明利用双磁致伸缩激励传感器进行激励,叠加后的激励信号幅值加倍,从而提高了激励能量,也提高了信噪比;同时,本发明利用双磁致伸缩接收传感器进行接收,接收到的两个导波信号通过信号叠加处理能进一步提高信噪比,提高了缺陷的检测精度。
申请公布号 CN101710103A 申请公布日期 2010.05.19
申请号 CN200910272923.1 申请日期 2009.11.27
申请人 华中科技大学 发明人 徐江;武新军;汤欢
分类号 G01N29/04(2006.01)I 主分类号 G01N29/04(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 李智
主权项 磁致伸缩导波单方向检测方法,包括以下步骤:(1)根据被测构件磁致伸缩导波检测的特定频率确定激励信号波长;(2)将两个同型号的激励传感器和两个同型号的接收传感器安装在被测构件上,两激励传感器的中心间距和两接收传感器的中心间距均为1/4激励信号波长;(3)将两激励信号分别输入两激励传感器,两激励信号的频率与上述导波检测特定频率相同且相差1/4周期,从而在待测构件中激励出单向传播的导波,两接收传感器分别接收导波信号,选择将其中一个接收传感器接收的导波信号延时1/4周期后与另一个接收传感器接收的导波信号相减,最终得到与激励产生的单向导波同向的检测信号。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号