| 发明名称 | 具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法。该氮化镓基半导体的支撑衬底在膨胀系数、形变方面可以很好的与氮化镓基半导体外延层结合，支撑衬底与氮化镓基半导体外延层有较好的膨胀系数匹配，同时不易碎裂和形变，且具有良好的导体属性。具体方案为：该氮化镓基半导体器件包括用于支撑氮化镓基半导体外延层的支撑衬底，所述支撑衬底为其内渗透有质量百分比为10％～30％的铜的石墨衬底。本发明主要用于氮化镓基外延层的LED半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101710567A | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200910186563.3 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 晶能光电(江西)有限公司 | 发明人 | 熊传兵 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件，包括用于支撑氮化镓基半导体外延层的支撑衬底，其特征在于：所述支撑衬底为其内渗透有质量百分比为10％～30％的铜的石墨衬底。 | ||
| 地址 | 330029 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||