| 发明名称 | 一种反并联双二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。以上结构的优点在于：它可以单独封装成DO-15，DO-41标准的轴向二极管外形，也可以与固体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在于节约空间，减少所占面积，适应电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信设备的电容值小于5pf的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。 | ||
| 申请公布号 | CN201478303U | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200920154498.1 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 南通久旺电子有限公司 | 发明人 | 袁建军 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人 | 钟廷良;李慧芳 |
| 主权项 | 一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。 | ||
| 地址 | 226500 江苏省如皋市如城镇福寿东路168号科技创业园501室 | ||