发明名称 图像传感器像素及其制造方法
摘要 提供了一种CMOS图像传感器中像素的光电二极管的新型结构及其制造方法。所述光电二极管利用一个光掩模而形成,从而减少了掩模数量,简化了制造工艺。此外,构成光电二极管的两个导电层得以自对准,从而无需连接光电二极管与传输晶体管的制造工艺。因而,在传输晶体管的栅极下部产生的沟道效应问题得以解决,从而可以制造一种改进的像素。
申请公布号 CN101238583B 申请公布日期 2010.05.19
申请号 CN200680028479.3 申请日期 2006.08.11
申请人 (株)赛丽康;朴哲秀 发明人 朴哲秀;李道永
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 余朦;方挺
主权项 一种制造图像传感器的像素的方法,包括以下步骤:(a)在半导体衬底上形成沟槽区域;(b)注入离子,以形成穿过所述沟槽区域的光电二极管的电极;以及(c)在注入离子以形成所述光电二极管的电极之后形成晶体管的栅极。
地址 韩国首尔