发明名称 | 图像传感器像素及其制造方法 | ||
摘要 | 提供了一种CMOS图像传感器中像素的光电二极管的新型结构及其制造方法。所述光电二极管利用一个光掩模而形成,从而减少了掩模数量,简化了制造工艺。此外,构成光电二极管的两个导电层得以自对准,从而无需连接光电二极管与传输晶体管的制造工艺。因而,在传输晶体管的栅极下部产生的沟道效应问题得以解决,从而可以制造一种改进的像素。 | ||
申请公布号 | CN101238583B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
申请号 | CN200680028479.3 | 申请日期 | 2006.08.11 |
申请人 | (株)赛丽康;朴哲秀 | 发明人 | 朴哲秀;李道永 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;方挺 |
主权项 | 一种制造图像传感器的像素的方法,包括以下步骤:(a)在半导体衬底上形成沟槽区域;(b)注入离子,以形成穿过所述沟槽区域的光电二极管的电极;以及(c)在注入离子以形成所述光电二极管的电极之后形成晶体管的栅极。 | ||
地址 | 韩国首尔 |