| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明旨在抑制III-V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101180734B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200680018146.2 | 申请日期 | 2006.05.25 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 杉本雅裕;加地彻;上杉勉;上田博之;副岛成雅 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：由包含高浓度n型杂质的III-V族化合物半导体制成的漏层；形成于所述漏层上并由包含低浓度n型杂质的III-V族化合物半导体制成的低浓度半导体区；包含p型杂质的III-V族化合物半导体的多个第一半导体区，所述多个第一半导体区以在相邻的第一半导体区之间留有间隙的方式分布于所述低浓度半导体区上，所述低浓度半导体区的一部分位于所述间隙中；III-V族化合物半导体的第二半导体区；夹在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的杂质扩散抑制层；位于所述第一半导体区和所述低浓度半导体区的所述一部分之间的侧面杂质扩散抑制层；以及面向所述第一半导体区的栅电极，所述杂质扩散抑制层和所述第二半导体区被夹在所述第一半导体区与所述栅电极之间。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||