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发明名称 IMPROVED STRAINED-SILICON CMOS DEVICE AND METHOD
摘要
申请公布号 KR100956575(B1) 申请公布日期 2010.05.07
申请号 KR20067024391 申请日期 2005.04.07
申请人 发明人
分类号 H01L29/10;H01L21/8238 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
主权项
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