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Ein Beispiel der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bereitstellen eines Boost-Ladestroms für ein Gate eines Schalttransistors. Das Verfahren umfasst Folgendes: Aufladen eines ersten Kondensators (Boost-Kondensators) bis die Kondensatorspannung einen Wert erreicht, der über einem Gate-Source-Spannungssollwert liegt; Verbinden des ersten Kondensators mit dem Gate des Schalttransistors am Beginn eines Einschaltvorgangs; und Trennen des ersten Kondensators von dem Gate des Schalttransistors nachdem die Kondensatorspannung auf oder unter den Gate-Source-Spannungssollwert gefallen ist.
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