发明名称 Lumineszenzdiodenchip
摘要 Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben. Dieser umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist, und eine erste elektrische Anschlussschicht, die die Halbleiterschichtenfolge berührt und elektrisch leitend kontaktiert. Die erste elektrische Anschlussschicht berührt und kontaktiert die Halbleiterschichtenfolge insbesondere mit einer Mehrzahl von Kontaktflächen. Bei dem Lumineszenzdiodenchip ist gezielt eine inhomogene Stromdichteverteilung oder Stromverteilung in der Halbleiterschichtenfolge durch eine inhomogene Verteilung einer Flächendichte der Kontaktflächen entlang einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge eingestellt.
申请公布号 DE102008054218(A1) 申请公布日期 2010.05.06
申请号 DE20081054218 申请日期 2008.10.31
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 BRICK, PETER;SABATHIL, MATTHIAS;LUCKNER, HAGEN
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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