| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有在半导体衬底(1)上隔着绝缘层(3)而配置了转移电极(2a～2c)的结构的半导体器件(10)中，在半导体衬底(1)的与转移电极(2a～2c)的正下方的区域重叠的位置，包括一导电型的第1半导体区域(4)、与一导电型相反的导电型的第2半导体区域(5)、以及一导电型的第3半导体区域(6)。第2半导体区域(5)形成在第1半导体区域(4)上。第3半导体区域(6)形成在第2半导体区域(5)上，以使第2半导体区域(5)的耗尽时的电位的最大点(8)的位置比不存在第3半导体区域(6)的情况变深。 | ||
| 申请公布号 | CN101015065B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200580028075.X | 申请日期 | 2005.12.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 黑田隆男 |
| 分类号 | H01L27/148(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/148(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 一种固体摄像器件，具有设置在半导体衬底上的光电二极管、以及在所述半导体衬底上隔着绝缘层而设置的转移电极，其特征在于：所述半导体衬底具有p型的第1半导体区域、n型的第2半导体区域、以及p型的第3半导体区域，所述第1～第3半导体区域位于与所述转移电极的正下方的所述半导体衬底的区域重叠的位置，所述第2半导体区域在所述第1半导体区域上被作为读出在所述光电二极管中产生的电荷的沟道部分而使用砷作为杂质来形成，所述第3半导体区域是在所述第2半导体区域上的、所述半导体衬底和所述绝缘层之间，使用铟、镓及铊中至少一种作为杂质而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||