| 发明名称 | 半导体存储器件及采用其的存储模块和系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件，包括时钟存储器，它接收外部时钟信号，并产生频率低于外部时钟信号频率的第一内部时钟信号和频率等于外部时钟信号频率的第二内部时钟信号。地址缓冲器、命令信号缓冲器和/或寄存器在第一内部时钟信号的一上升沿或下降沿处接收各输入信号。另一方面，数据缓冲器在第二内部时钟信号的一上升沿或下降沿处输入/输出数据。 | ||
| 申请公布号 | CN1343987B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN01125164.6 | 申请日期 | 2001.08.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李东阳 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：时钟缓冲器，它接收外部时钟信号，输出频率低于外部时钟信号频率的第一内部时钟信号和频率等于外部时钟信号频率的第二内部时钟信号；地址缓冲器，它在第一内部时钟信号的一上升沿或下降沿处接收地址信号；数据缓冲器，它在第二内部时钟信号的一上升沿或下降沿处输入/输出数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||