| 发明名称 | 对NA-σ曝光设置和散射条OPC同时优化的方法和装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种基于目标布局对光刻系统的数值孔径(“NA”)和西格马因子进行优化的方法、程序产品和装置。对图案进行节距或者间距分析以确定设计的临界节距的分布。根据该节距或者间距分析确定临界密集节距。对参数NA、西格马-内和西格马-外进行优化，使得印制临界特征可以通过偏置调整或者不需要偏置调整而进行。对于除了临界特征之外的特征，根据OPC进行调整，因而光刻装置设置进一步得到相互优化。因此，对任何图案，光刻装置设置可以通过兼顾OPC得到优化。 | ||
| 申请公布号 | CN1577099B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200410055272.8 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | ASML蒙片工具有限公司 | 发明人 | D·-F·S·苏;A·利布岑 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种对光刻装置设置进行优化和对基板表面上将形成的图案的光学近似修正(OPC)进行优化的方法，所述方法包括以下步骤：(a)识别临界密集节距并对应到第一和第二两个临界特征；(b)对于该第一临界特征确定最佳光刻装置设置；(c)根据该第一临界特征的分析执行OPC；(d)对所述第二临界特征执行OPC调整；和(e)对所述第二临界特征优化光刻装置设置。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||